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J-GLOBAL ID：200903097934079263

太陽電池素子

Inventor： 藤井 修一 ,  猪股 洋介 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998116966
Publication number (International publication number)：1999307792
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 表面が微細な凹凸構造を有するシリコン基板上に形成される反射防止膜のパターニングが煩雑であったり、反射防止膜上に直接形成される電極強度が低下するという問題があった。【解決手段】 一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起を多数設けると共に、厚み50〜600Åの窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜上に直接前記電極を形成した。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体不純物を含有するシリコン基板の表面側に逆導電型半導体不純物を含有させると共に、このシリコン基板の表面側と裏面側に電極を形成した太陽電池素子において、前記シリコン基板の表面側に幅と高さがそれぞれ2μm以下の微細な突起を多数設けると共に、厚み50〜600Åの窒化シリコン膜から成る反射防止膜を形成し、この反射防止膜上に直接前記電極を形成したことを特徴とする太陽電池素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041617   Applicant：京セラ株式会社
• 特表平7-501184
  
• 異呈色結晶系シリコン太陽電池素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-155238   Applicant：大同ほくさん株式会社
• 太陽電池セルおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-020979   Applicant：シャープ株式会社
• 太陽電池の半田部形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-003239   Applicant：三洋電機株式会社