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J-GLOBAL ID：200903097940401770
樹脂封止型半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285197
Publication number (International publication number)：1993129474
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子に対する低応力特性と高放熱特性を両立させることができる樹脂封止型半導体装置を提供することにある。【構成】 放熱板1の上には表面に導電パターン3が形成された厚膜回路基板2が配置されるとともに厚膜回路基板2の上には厚膜回路基板2と対向する状態で導電パターン3と接する所定高さの半田バンプ5を介してフリップチップIC4がボンディングされている。厚膜回路基板2とフリップチップIC4は封止用樹脂材10にて封止されている。封止用樹脂材10は、シリコーンゲルに球状のアルミナが充填されたものが使用され、アルミナの粒径がフリップチップIC4と厚膜回路基板2の間隙以下となっている。さらに、アルミナの充填量として、封止用樹脂材10の複素弾性率をG* (dyn/cm2,at1Hz,30°C)とし、線膨張係数をαとしたとき、α≦0.033(G* -451)-0.56 を満足させるように充填している。
Claim (excerpt)：
表面に導体部が形成された基板と、前記基板と対向する状態で、前記導体部と接する所定高さのバンプを介して基板上にボンディングされた半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止用樹脂材とを備え、前記封止用樹脂材として、シリコーンゲルに球状で、かつ粒径が前記半導体素子と基板の間隙以下の熱伝導性フィラーを充填させたものを使用するとともに、その充填量として、封止用樹脂材の複素弾性率をG* (dyn/cm2,at1Hz,30°C)とし、線膨張係数をαとしたとき、α≦0.033(G* -451)-0.56 を満足させるように充填したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/24
