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J-GLOBAL ID：200903097945345895

分布型主電極構造を有する静電誘導型半導体素子

Inventor： 清水 尚博
Applicant, Patent owner： 東洋電機製造株式会社
Agent (1)： 玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066185
Publication number (International publication number)：1994260632
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、静電誘導型素子のターンオフスイッチング性能において、蓄積時間、下降時間の短縮並びにゲート電極よりの引き出し電荷量を従来に比べ大幅に低減化し、ターンオフ性能の優れ、使い易い、分布型主電極構造を有する静電誘導型半導体素子を提供することにある。【構成】 ターンオフ時のゲート引き抜き電荷量の一部分をカソードもしくはソース電極からも容易に引き抜けるように、主電極領域を相対的に不純物密度の高い領域と相対的に不純物密度の低い領域から形成し、かつ相対的に不純物密度の低い領域の一部分にも接触して主電電極構造を形成する構成を有する。

Claim (excerpt)：

高抵抗層領域の第1の主表面に形成された第1の主電極領域と、前記高抵抗層領域の第1もしくは第2の主表面に形成された第2の主電極領域と、前記第1の主電極領域の近傍に形成された制御領域とを具備し、前記制御領域は前記高抵抗層領域内にチャネル領域を形成するとともに第1の主電極領域と第2の主電極領域間を導通する主電流を該チャネル領域に形成された電位障壁高さを制御することによって制御する静電誘導型半導体素子において、第1の主電極領域は相対的に不純物密度の高い領域と相対的に不純物密度の低い領域とが互いに分布された構造を具え、かつ第1の主電極領域に接触する電極構造は上記不純物密度の高い領域のみならず不純物密度の低い領域にも部分的に接触していることを特徴とする分布型主電極構造を有する静電誘導型半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/804

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 静電誘導半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231007   Applicant：日産自動車株式会社