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J-GLOBAL ID：200903097949195464

トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタを製造する方法

Inventor： ブルース ディ、マーチャント ,  ディーン プロブスト ,  ポール サラップ ,  デンセン、カオ
Applicant, Patent owner： フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレイション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000327825
Publication number (International publication number)：2001223358
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 トランジスタのセル・ピッチについて妥協することなくトランジスタの堅固さを向上させる、トレンチ型電界効果トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 高量注入および熱サイクルの代わりに、トレンチを基体領域にエッチングして、その高重基体トレンチをその基体およびソース領域の双方にコンタクトを形成する金属のような高導電材料で充填することによってトランジスタの高重基体を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する基板上に、トレンチ型電解効果トランジスタを製造する方法であって、前記基板中に延びる第1のトレンチを形成する前記第1のトレンチの内側を誘電体材料で覆う前記第1のトレンチを導電材料で実質的に充填して、前記電界効果トランジスタのゲート電極を形成する前記基板中に第2の導電型を有する基体領域を形成する前記基体領域の内側で前記第1のトレンチに隣接し、前記第1の導電型を有するソース領域を形成する前記ソース領域に隣接し、そのソース領域の下の前記基体領域に延びる第2のトレンチを形成するその第2のトレンチを高導電材料で充填して、前記基体領域へのコンタクトを形成するステップを具備する方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 21/90 D