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J-GLOBAL ID：200903097956764652

有機トランジスタの形成方法

Inventor： 喜納 修 ,  中村 隆一
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005096730
Publication number (International publication number)：2006278804
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】 印刷法により、プラスチックフィルムを基板として用いて、高寸法精度の有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の有機トランジスタの形成方法は、プラスチック基材1上に有機トランジスタを形成する方法であって、プラスチック基材1上に下部電極インクを塗布した後、下部電極インクを乾燥する工程と、下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、絶縁インクを乾燥する工程と、絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、下部電極インク、絶縁インクおよび上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、積層体上に有機半導体層6を積層する工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

プラスチック基材上に有機トランジスタを形成する方法であって、 前記プラスチック基材上に下部電極インクを塗布した後、当該下部電極インクを乾燥する工程と、前記下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、当該絶縁インクを乾燥する工程と、前記絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、前記下部電極インク、前記絶縁インクおよび前記上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、前記積層体上に有機半導体層を積層する工程と、を備えたことを特徴とする有機トランジスタの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 51/05

FI (7)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K

F-Term (31)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32