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J-GLOBAL ID：200903097968314164

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  山田 元量 ,  田中 政信
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993098621
Publication number (International publication number)：1994291366
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたチップを封止材料で封止してなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体表面に、該窒化ガリウム系化合物半導体の発光波長における屈折率が、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率と封止材料の屈折率との間にある透明薄膜が形成されている。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたチップを封止材料で封止してなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体表面に、該窒化ガリウム系化合物半導体の発光波長における屈折率が、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率と封止材料の屈折率との間にある透明薄膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-022491
  
• 特開昭61-096780