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J-GLOBAL ID：200903097972737347

化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法および装置

Inventor： 南 洋一 ,  関口 淳 ,  松澤 敏晴
Applicant, Patent owner： リソテック ジャパン株式会社
Agent (1)： 千田 稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095849
Publication number (International publication number)：1997265189
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化学増幅系レジストの反応の詳細を知り材料選択の適性化を図ると共にプロセスを確立するための、新たな解析方法および装置の開発。【解決手段】 光酸発生剤を含む化学増幅系フォトレジストを予め塗布した基板に露光エネルギーを与え、光酸発生剤の光分解に伴う反応基のIR吸収の変化をFT-IRで測定し、プロトンの発生量を求める、化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法および装置。

Claim (excerpt)：

光酸発生剤を含む化学増幅系フォトレジストを予め塗布した基板に露光エネルギーを与え、光酸発生剤の光分解に伴う反応基のIR吸収の変化をFT-IRで測定し、プロトンの発生量を求める、化学増幅系フォトレジストの光反応解析方法。

IPC (3)：

G03F 7/26 501 ,  G01N 21/35 ,  G01N 21/75

FI (3)：

G03F 7/26 501 ,  G01N 21/35 Z ,  G01N 21/75 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• レジスト処理方法及びレジスト処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-001872   Applicant：株式会社東芝