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J-GLOBAL ID：200903097975350265

層間絶縁膜の形成方法

Inventor： 坂村 正二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134399
Publication number (International publication number)：1996008249
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】多層の層間絶縁膜にコンタクト孔を形成するにあたって、金属配線の段切れを防止する。【構成】SiO2膜13とBPSG膜14とを交互に積層して形成した多層の層間絶縁膜15にコンタクト孔15を形成し、そのコンタクト孔15の側壁を被覆するように、エッチングレートの比較的小さい膜、例えばSiO2膜18を形成し、その後、自然酸化膜[SiO2膜]19をフッ酸溶液を用いてエッチング・除去する。そして、スパッタ法により金属配線を形成する。

Claim (excerpt)：

多層配線における層間絶縁膜の形成方法において、凹凸のある基体上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上の全面に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜をエッチバックし前記第1の絶縁膜の凹部に残す工程と、前記半導体膜を熱酸化することにより、前記第1の絶縁膜の凹部に第2の絶縁膜を形成する工程とを有し、前記層間絶縁膜が前記第1および第2の絶縁膜から成ることを特徴とした層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 M