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J-GLOBAL ID：200903097975901288

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 滝 正和 ,  大森 達夫 ,  西川 和康 ,  大寺 廣樹 ,  斧 高一 ,  植田 至宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050536
Publication number (International publication number)：1995263353
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 大口径の試料を均一に処理する。【構成】 処理室1には試料7を載置したステージ6が設置されている。プラズマ室2は処理室1の上方に設置されており、導波管11からマイクロ波導入窓12を介してマイクロ波が導入される。プラズマ室2にはガス導入管10及びパルスガスバルブ8を介してエッチングガスが供給される。パルスガスバルブ8は駆動装置9により制御され、パルス的にエッチングガスをプラズマ室2に供給する。隔壁板3はプラズマ室2と処理室1とを隔てており、孔4を有している。また排気口5は図示しない排気系に接続されており、処理室1を真空排気する。プラズマ室2近傍にはプラズマ室2に磁界を印加する磁場コイル13が設けられている。【効果】 処理室1の圧力によらず、プラズマ室2の圧力を所定の高さに維持できる。

Claim (excerpt)：

(a)ガスを用いて、励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室と、(b)試料が配置される処理室と、(c)前記プラズマ室と前記処理室との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有する隔壁板と、(d)前記処理室を排気する真空排気手段と、(e)前記プラズマ室へパルス的に前記ガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C