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J-GLOBAL ID：200903097976901192

導波路型光デバイスの光導波路と光半導体素子の 結合構造

Inventor： 谷澤 靖久
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177135
Publication number (International publication number)：1995035933
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】基板上に成形された光導波路の端面に直接光半導体素子が光学的に結合されてなる導波路型光デバイスにおいて、両者を高効率に結合する構造を提供する。【構成】光導波路と光半導体素子の間に光導波路のコア部の屈折率とほぼ同じ屈折率を有する3層の薄膜を介在させる。各層の薄膜は光半導体素子を基板に実装後、コア部より下の部分までまず第2の薄膜を被膜し、次に第2の薄膜よりも高い屈折率の第1の薄膜で被膜し、さらにその上部に第1の薄膜より屈折率の低い第3の薄膜で被膜することにより形成できる。前述の第1の薄膜の屈折率を光導波路のコア部の屈折率より小さくし、かつ光導波路コア部は端部に向かって基板と平行な面内でテーパ状になるように形成し、端面を軸が基板に垂直な円筒状に形成にする。【効果】光半導体素子からの出射光を光導波路との間に介在させた3層被膜で基板に垂直方向に閉じ込め、基板に対して平行な方向に広がった光を光導波路の円筒形状の端部で集光するため、高効率結合が実現できる。

Claim (excerpt)：

基板表面に屈折率が周囲より高いコア部の該コア部の上下および側面に屈折率の低いクラッド部を有する光導波路が形成されており、前記基板上の光導波路の端面に光半導体素子が前記光導波路と光学的に結合するよう前記基板上に配置された光導波路と光半導体素子の結合構造において、前記光導波路の端面と前記光半導体素子の間に、前記光導波路のコア部とほぼ同じ高さにある第1の薄膜と、この第1の薄膜の上部にある第2の薄膜、および前記第1の薄膜の下部にある第3の薄膜の3層の薄膜が形成されており、前記第1の薄膜は前記第2の薄膜および前記第3の薄膜よりも屈折率が高いことを特徴とする光導波路と光半導体素子の結合構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-171106
  
• 特開昭60-257413
  
• 特開昭52-104136
  
• 特開昭63-060413