半導体レーザ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997086282
Publication number (International publication number)：1998284799
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。【解決手段】量子井戸構造を有する光学的活性領域(例えば、レーザ活性領域)の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子(半導体レーザ)を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。【効果】半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板上部に第1の導電型のバッファ層、第1の導電型の光閉じ込め層、量子井戸発光層、第2の導電型の閉じ込め層及び第2の導電型のクラッド層をこの順に積層した構造を有し、且つ該量子井戸発光層を構成する量子井戸層は真性キャリア濃度1×1017cm-3以下のアンドープであり且つ障壁層がキャリア濃度1×1017cm-3以上のネガまたはポジ導電型の半導体層で構成されることを特徴とするリッジ導波路型構造の半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

FI (2)：

H01S 3/18 , G02B 6/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022602 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-117129 Applicant：株式会社日立製作所
導波路型光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-027877 Applicant：株式会社日立製作所

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