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J-GLOBAL ID：200903097989377280

光半導体装置およびその製造方法

Inventor： 上本 勉 ,  鎌田 敦之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222234
Publication number (International publication number)：1993048145
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は高光度で短波長の発光のできる半導体素子を作製する。【構成】 IV族半導体にIII族-V族、またはII-VI族化合物を含む分子を用いて不純物添加を行う。【効果】 本発明で高光度青色LEDが得られる。

Claim (excerpt)：

IV族半導体の発光領域を具備し、前記IV族半導体と電気陰極性度が大きく異なることにより前記発光領域中でキャリアを捕獲して励起子を形成するII-VI族或いはIII-V族半導体が前記発光領域に分子状態で添加された事を特徴とする光半導体装置。