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J-GLOBAL ID：200903097998912910
半導体材料の製造方法および製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350547
Publication number (International publication number)：1995078759
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】 成膜、イオン注入等の真空処理後に外気に触れることなく、連続的にレーザーアニールをおこなうことによって半導体材料の特性を良好なものとする。
Claim (excerpt)：
少なくとも2つの真空処理チャンバーを有する半導体製造装置において、1つのチャンバーはレーザーアニールのためのチャンバーであり、かつ、他の真空処理チャンバーのうち、少なくとも1つの真空処理チャンバーにおいて処理を受けた基板が、該レーザーアニールのためのチャンバーに移送され、レーザーアニールされることを特徴とする半導体材料の製造装置。
IPC (6)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
