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J-GLOBAL ID：200903098006400740
低速陽電子ビーム発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045801
Publication number (International publication number)：1995253498
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 陽電子ビームを集束させるレンズ電極群の小型化を可能とし、しかも外部磁場等の影響による陽電子ビーム電流の損失が少ない低速陽電子ビーム発生装置を提供する。【構成】 陽電子減速材1から放出された低速陽電子e+ は、加速電極3と陽電子減速材1との間で反射電極2によって等電位面が非平行に歪められた間の陽電子加速電場によって軸中心方向へ押し戻される力を受けながら加速される。このため、加速電極3を通過する低速陽電子e+ はそのビーム径が広がることなく後段のレンズ電極群5に入射するため、レンズ電極群5の寸法を小型化できると共に、外部磁場等の影響を受けて陽電子が軌道を外れることが少なくなるため、陽電子ビーム電流の損失を大幅に軽減できる。
Claim (excerpt)：
陽電子減速材から放出された低速陽電子を加速電極によって加速し、更にこれを複数のレンズ電極群によって集束することにより、陽電子ビームを高輝度化した状態で出射する低速陽電子ビーム発生装置において、前記加速電極と前記陽電子減速材との間に、この陽電子減速材から放出された低速陽電子の加速時での発散を抑える反射電極を設けたことを特徴とする低速陽電子ビーム発生装置。
IPC (2)：
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