Pat

J-GLOBAL ID：200903098006599210

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 坂本 弘美 ,  田仲 広久
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 西教 圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126479
Publication number (International publication number)：1996321619
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 オフセットやLDD領域を形成するための工程を簡略化して、しかも信頼性を高める。【構成】 (a)に示すように、透明基板21上に遮光膜22、半導体層24、ゲート電極26などを形成する。次に(b)に示すように、ポジレジスト28を塗布し、裏面側から光29によって露光する。(c)に示すように、遮光膜22がマスクとなって、ゲート電極26より一回り大きい不純物注入用マスク30が形成される。不純物元素イオン31を注入することによって、ソース・ドレイン領域32が形成され、オフセット33を設けることができる。

Claim (excerpt)：

透明基板上に金属からなる遮光膜を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、遮光膜よりもチャネル長方向に一回り小さいゲート電極を形成する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート電極上にレジストを塗布した後、透明基板裏面側から光を照射して遮光膜をマスクとして露光を行い、ゲート電極を覆うように、ゲート電極よりも一回り大きい不純物の注入用マスクを形成する工程と、このマスクを用いて、半導体層にソースおよびドレイン領域形成用イオン注入を行い、ゲート電極とソースおよびドレイン領域とが重ならないオフセット領域を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/266

FI (3)：

H01L 29/78 617 A ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 616 N