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J-GLOBAL ID：200903098018120556

スパツタリング装置

Inventor： 松本 広行
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991294332
Publication number (International publication number)：1993132769
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層薄膜を形成する場合に、1層を形成するごとにターゲットを交換しなければならない問題点を解決する。【構成】 接地された真空チャンバー(1) 、真空に排気するための排気口(2) 、スパッタガスを供給するための導入口(3) 、基板ホルダー(4) 、少なくとも2個のカソード(51)、(52)、及び各カソードの電位を負に落とす電力を供給する電源(71)、(72)からなるスパッタリング装置において、電力を0.01〜50Hzの周期で変調し、かつ、少なくとも2個のカソードに供給する変調された電力の位相をずらせる変調手段(8) を設けた。

Claim (excerpt)：

接地された真空チャンバー、該チャンバー内を真空に排気するための排気口、チャンバー内にスパッタガスを供給するための導入口、チャンバー内に配設された基板ホルダー、チャンバー内に配設された少なくとも2個のカソード、及び各カソードの電位を負に落とす電力を供給する電源からなるスパッタリング装置において、電力を0.01〜50Hzの周期で変調し、かつ、少なくとも2個のカソードに供給する変調された電力の位相をずらせる変調手段を設けたことを特徴とする装置。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/56