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J-GLOBAL ID：200903098048071053
誘電体保護層の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
津国 肇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308525
Publication number (International publication number)：1994162920
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】 一般式M(OR)2で示されるアルカリ土類金属含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、ついでこれを300〜700°Cに焼成して、金属酸化物からなる保護層を形成する工程を含むことを特徴とする誘電体保護層の形成方法。【効果】 スパッタリングによる保護層と同等の均一な誘電体保護層が、より簡単な設備と方法で得られ、大画面のガス放電パネルを容易に作成できる。
Claim (excerpt)：
一般式M(OR)2(式中、Mはアルカリ土類金属原子を表し、Rは互いに同一でも異なっていてもよく、1価の炭化水素基、またはヒドロキシル基で置換されていてもよい1価のアシル基を表し、アシル基の場合、2個のRが連結して2価のアシル基を形成していてもよい)で示される1種または2種以上のアルカリ土類金属含有有機化合物を誘電体の表面に塗布する工程と、ついでこれを300〜700°Cに焼成して、アルカリ土類金属酸化物からなる保護層を形成する工程を含むことを特徴とする誘電体保護層の形成方法。
IPC (2)：
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