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J-GLOBAL ID：200903098057438296
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044119
Publication number (International publication number)：1993243218
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 絶縁膜に覆われた導電体層(半導体を含む)表面をエッチング工程により選択的に露出させ、露出した導電体層表面に接続する成膜(酸化を含む)を実施する前に、自然酸化膜、ダメージ及び汚染物質等を含む露出した導電体層表面に形成される表面層を完全に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 絶縁膜3をエッチングして、シリコン基板1表面に設けられた拡散層2に達するコンタクトホールを形成する。このとき、拡散層2の表面に形成される表面層2aを成膜装置内において3弗化塩素ガスを使用して除去する。次に、同じ成膜装置内で多結晶シリコン膜4を形成する。
Claim (excerpt)：
所定の導電体層上に形成された絶縁膜を有する半導体基板にエッチングを施し、前記導電体層の表面を選択的に露出するエッチング工程と、前記導電体層の露出表面にエッチング工程に不随して形成される表面層を3弗化塩素ガスにより除去する工程と、前記導電体層に接続する膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
Cited by examiner (6)
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