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J-GLOBAL ID：200903098059071551

金属配線、及びそれを用いた半導体装置及びTFT液晶表示装置

Inventor： 中村 和▲よし▼ ,  松永 浩二 ,  小林 郁典 ,  竹田 守 ,  松岡 富造
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991317699
Publication number (International publication number)：1993152572
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムを主成分とした導電体層が、純アルミニウム層と高融点金属を不純物として添加した不純物添加アルミニウム層からなる多層構造であるという構成を設けることにより、導電体層の配線抵抗を上げることなく、ヒロックを生じずそれにともなう不良が発生しない金属配線、及びそれを用いた半導体装置及びTFT液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 導電体層であるゲート電極として、純アルミニウムゲート電極1と、不純物添加アルミニウムゲート電極2を用いた多層構造とすることにより、ヒロックの発生をなくしたTFTが得られる。

Claim (excerpt)：

純アルミニウムからなる導電体層と、高融点金属を不純物として添加した不純物添加アルミニウムからなる導電体層との多層構造からなることを特徴とする金属配線。

IPC (5)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-301143
  
• 特開昭63-044741
  
• 特開平1-120068