薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタアレイ、および表示装置、およびセンサー装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003357692
Publication number (International publication number)：2005123438
Application date： Oct. 17, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】プロセス耐性の弱い有機薄膜トランジスタをダメージなく形成すること。【解決手段】基板上に、ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース電極とドレイン電極と、走査線と信号線とが形成されており、低抵抗が要求される信号線をまず金属薄膜とフォトリソグラフィとエッチングにより形成し、次の有機半導体形成工程の後は、有機導電性材料と印刷工法等を用いて有機半導体層にダメージを与えることなく、トランジスタを形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも、基板上に、ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とソース電極とドレイン電極と、走査線と信号線とが形成されており、前記ソース電極と前記信号線は、電気的には接続されているが異なる材料で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (10)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/00

FI (13)：

H01L29/78 612C , G02F1/1368 , H01L21/288 Z , H01L29/78 612D , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/28 , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/88 M , H01L21/88 Z , H01L27/14 C

F-Term (72)：

2H092GA11 , 2H092GA31 , 2H092GA60 , 2H092HA15 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA09 , 2H092KA13 , 2H092KA20 , 2H092KA23 , 2H092KB06 , 2H092NA11 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092RA10 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD51 , 4M104DD61 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 4M118AA08 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CB05 , 4M118EA01 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB20 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH07 , 5F033JJ00 , 5F033JJ01 , 5F033KK00 , 5F033KK07 , 5F033PP19 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ37 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD11 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HL01 , 5F110HM12 , 5F110HM17 , 5F110HM19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開昭61-121034号公報(第4-5頁、図2、図7)

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