半導体デバイスの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000590216
Publication number (International publication number)：2002533931
Application date： Dec. 01, 1999
Publication date： Oct. 08, 2002
Summary：

【要約】電界効果トランジスタと不揮発性メモリ素子とを具える半導体デバイスを製造する方法において、第1導電型の第1及び第2アクティブ領域(4)及び(5)をそれぞれ前記トランジスタ及びメモリ素子用に半導体本体内に限定する。次に、半導体本体の表面を前記トランジスタの犠牲ゲート絶縁膜及びメモリ素子のフローティングゲート絶縁膜(13)を与える第1絶縁層で覆い、次にこの第1絶縁層を前記トランジスタの犠牲ゲート及びメモリ素子のフローティングゲート(11)を与えるシリコン含有層で覆う。犠牲ゲート及びフローティングゲート(11)の形成後に、前記トランジスタ及びメモリ素子に第2導電型のソース及びドレイン領域を設ける。次の工程において、誘電体層(18)を被着し、この誘電体層を、第1及び第2アクティブ領域(4)及び(5)において前記シリコン含有層が露出するまで、その厚さの少なくとも一部分に亘って除去し、その後に第1アクティブ領域(4)における前記シリコン含有層及び第1絶縁層を除去して、前記誘電体層(18)に凹部を形成する。次に、メモリ素子の内部ゲート絶縁膜(24)を与える第2絶縁層を第2アクティブ領域(5)に被着するとともにトランジスタのゲート絶縁膜(23)を与える第3絶縁層を第1アクティブ領域(4)に被着する。ゲート絶縁膜(23)及び内部ゲート絶縁膜(24)の形成後に、導電層を被着し、この導電層を第1アクティブ領域(4)にてトランジスタのゲート(26)及び第2アクティブ領域(5)にてメモリ素子の制御ゲート(27)に成形する。

Claim (excerpt)：

半導体本体を具え、その表面に、半導体本体からゲート絶縁膜により絶縁されたゲートを有する電界効果トランジスタと、フローティングゲート及び制御ゲートを有する不揮発性メモリ素子が設けられ、前記フローティングゲートは半導体本体からフローティングゲート絶縁膜により絶縁され、制御ゲートから内部ゲート絶縁膜により絶縁されている半導体デバイスを製造する方法であって、表面に隣接する第1導電型の第1及び第2アクティブ領域をそれぞれ前記トランジスタ及びメモリ素子用に半導体本体内に限定し、表面を前記メモリ素子のフローティングゲート絶縁膜を与える第1絶縁層で被覆し、この第1絶縁層の上に前記メモリ素子のフローティングゲートを与えるシリコン含有層を被着し、その後に前記メモリ素子の第2導電型のソース及びドレイン領域を半導体本体内に設け、第2絶縁層を第2アクティブ領域に被着して前記メモリ素子の内部ゲート絶縁膜を与え、この第2絶縁層の上に前記メモリ素子の制御ゲートを与える導電層を被着する半導体デバイスの製造方法において、前記メモリ素子のフローティングゲート及びフローティングゲート絶縁膜の形成と一緒に、第1アクティブ領域に、前記電界効果トランジスタの犠牲ゲート及び犠牲ゲート絶縁膜をそれぞれ形成し、その後に前記トランジスタのソース及びドレイン領域を前記メモリ素子のソース及びドレイン領域と一緒に形成し、誘電体層を被着し、この誘電体層を、第1及び第2アクティブ領域において前記シリコン含有層が露出するまで、その厚さの少なくとも一部分に亘って除去し、その後に第1アクティブ領域における前記シリコン含有層及び第1絶縁層を除去して、前記誘電体層に凹部を形成し、この凹部内に、第1アクティブ領域における前記トランジスタのゲート絶縁膜を与える第3絶縁層を被着し、その後に前記導電層を堆積し、これで第1アクティブ領域の前記凹部を満たし、この導電層を第1アクティブ領域における前記トランジスタのゲート及び第2アクティブ領域における前記メモリ素子の制御ゲートに成形することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/8247 , H01L 21/28 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/10 481 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 21/28 A , H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 27/08 102 C

F-Term (55)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD72 , 4M104DD75 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB11 , 5F048BB19 , 5F048BG01 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP49 , 5F083ER22 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BB02 , 5F101BH21

Return to Previous Page