Pat
J-GLOBAL ID:200903098070001220
配線基板及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996229505
Publication number (International publication number):1998074858
Application date: Aug. 30, 1996
Publication date: Mar. 17, 1998
Summary:
【要約】【課題】絶縁基体に搭載される半導体素子が作動時に発生する熱を外部に良好に放散することができずに半導体素子に熱破壊や誤動作を発生させてしまう。【解決手段】60乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合して成る絶縁基体1に、金属粉末を熱硬化樹脂により結合した配線導体2を被着させて成る配線基板であって、前記絶縁基体1はその表面に熱伝導率が100W/m・K以上の高熱伝導材料粉末60乃至95重量%と熱硬化性樹脂5乃至40重量%とから成り、前記高熱伝導材料粉末を前記熱硬化性樹脂で結合して成る放熱部材5が被着されている。
Claim (excerpt):
60乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5乃至40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合して成る絶縁基体に、金属粉末を熱硬化樹脂により結合した配線導体を被着させて成る配線基板であって、前記絶縁基体はその表面に熱伝導率が100W/m・K以上の高熱伝導材料粉末60乃至95重量%と熱硬化性樹脂5乃至40重量%とから成り、前記高熱伝導材料粉末を前記熱硬化性樹脂で結合して成る放熱部材が被着されていることを特徴とする配線基板。
IPC (3):
H01L 23/12
, H01L 23/34
, H05K 1/03 610
FI (3):
H01L 23/12 J
, H01L 23/34 A
, H05K 1/03 610 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
配線基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-263407
Applicant:京セラ株式会社
-
特公昭36-001830
Return to Previous Page