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J-GLOBAL ID：200903098070074996
液相エピタキシャル成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069402
Publication number (International publication number)：1995277881
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】磁性ガーネット単結晶膜等の酸化物単結晶膜を育成するときに、原料溶液中への自然核の形成を抑えて、結晶性のよい酸化物単結晶膜を得ることができるエピタキシャル成長装置を提供する。【構成】外側に高周波加熱源11を有する電気絶縁性の炉芯管1と、この炉芯管内に配置した上下開放の電気伝導性の円筒体12と、この円筒体の内側に配置した坩堝6とを備える。
Claim (excerpt)：
外側に高周波加熱源を有する電気絶縁性の炉芯管と、該炉芯管内に配置した上下開放の電気伝導性の円筒体と、該円筒体の内側に配置した坩堝とを、備えたことを特徴とする酸化物単結晶膜育成用の液相エピタキシャル成長装置。
IPC (2)：
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