光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004225319
Publication number (International publication number)：2006047462
Application date： Aug. 02, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】3%を越える高い比屈折率差Δにおいても吸収損失の小さくかつ屈折率制御性が高く緻密な高品質のSiON膜をコアとする、光導波路型の光素子が提供できるようにする。【解決手段】基板101の表面を熱酸化することで膜厚10μm程度の酸化シリコン膜を形成することで、基板101の上に下部クラッド層102が形成された状態とする。次に、下部クラッド層102の上にECRプラズマCVD法により膜厚3μmのSiON膜を堆積する。ついで、堆積形成したSiON膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで、下部クラッド層102の上にコア103が形成された状態とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層と、この下部クラッド層の上に形成されたSiONからなるコアと、このコアを覆うように形成された酸化シリコンからなる上部クラッド層とから構成された光導波路を備え、前記コアは、ECRプラズマCVD法により形成されたSiONより構成されていることを特徴とする光素子。

IPC (3)：

G02B 6/13 , C23C 16/42 , G02B 6/12

FI (3)：

G02B6/12 M , C23C16/42 , G02B6/12 N

F-Term (21)：

2H047KA02 , 2H047KA04 , 2H047KA12 , 2H047KA13 , 2H047LA18 , 2H047PA02 , 2H047PA05 , 2H047PA22 , 2H047PA24 , 2H047PA28 , 2H047QA01 , 2H047QA04 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光導波路及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-112795 Applicant：日立電線株式会社
特開昭60-114811
光導波路およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-107428 Applicant：日本電気株式会社

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