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J-GLOBAL ID：200903098085998230

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置

Inventor： 島沢 幸司 ,  笠原 寛顕 ,  荒木 悟
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 阿部 美次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000077309
Publication number (International publication number)：2001266313
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】高精度の読み取りトラック幅を有し超高密度記録に適用できTMR素子を提供する。【解決手段】強磁性トンネル効果膜1は、トンネルバリア層11がフリー層12とピンド層13とによって挟まれた構造を有する。バイアス磁界誘導層21は、フリー層12にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向F1で見た幅が強磁性トンネル効果膜1の幅よりも大きい。フラックスガイド層22はバイアス磁界誘導層21と積層されるとともに、フリー層12に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部221を構成する。フラックスプローブ部221はその幅がバイアス磁界誘導層21の幅よりも狭く、バイアス磁界誘導層21から突出している。

Claim (excerpt)：

強磁性トンネル効果膜と、バイアス磁界誘導層と、フラックスガイド層とを含むトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性トンネル効果膜は、トンネルバリア層と、フリー層と、ピンド層とを含み、前記トンネルバリア層が前記フリー層と前記ピンド層とによって挟まれており、前記バイアス磁界誘導層は、前記フリー層にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向で見た幅が前記強磁性トンネル効果膜の幅よりも大きくなっており、前記フラックスガイド層は、前記バイアス磁界誘導層のバイアス磁界の方向と交差するようにして、前記バイアス磁界誘導層と積層されるとともに、前記フリー層に磁気的に結合され、一端がフラックスプローブ部を構成し、前記フラックスプローブ部はその幅が前記バイアス磁界誘導層の幅よりも狭く、前記バイアス磁界誘導層から突出しているトンネル磁気抵抗効果素子。

F-Term (8)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034BB12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07