半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315691
Publication number (International publication number)：1993152574
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに個別素子のフライホィーリングダイオードを接続すると、高電力密度化が難しく、また接続導線のインダクタンスのために高速化も困難である欠点を解消する。【構成】一つの半導体基体にIGBTとFWDを形成して高電力密度化をはかり、IGBTのエミッタ電極とFWDの主電極を一体化することによりインダクタンスを低減する。また両者の間に非干渉領域を設けることにより、ダイオードの逆回復時の干渉効果によってIGBTがラッチアップするのを防ぐ。

Claim (excerpt)：

第一導電型で低不純物濃度の半導体基体の一側の表面層に、さらにその表面層に第一導電型で高不純物濃度の第二領域を有する第二導電型の第一領域と、第二導電型で高不純物濃度の第三領域とが形成され、その半導体基体本来の領域の露出面と第二領域とにはさまれた第一領域の表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、その半導体基体の他側の表面層に第一領域に対向して第二導電型の第四領域、第三領域に対向して第四領域に隣接する第一導電型で高不純物濃度の第五領域が形成され、第一領域と第二領域とに共通に第一電極、第二領域に第二電極がそれぞれ接触して互いに接続され、第四領域、第五領域に共通に第三電極が接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 , H01L 27/06 , H01L 29/91

FI (4)：

H01L 29/78 321 J , H01L 27/06 101 D , H01L 29/78 321 K , H01L 29/91 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭61-015370
特開昭64-080077
特開昭60-010781

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