Pat

J-GLOBAL ID：200903098099071627

Qスイッチレーザ

Inventor： 平野 嘉仁 ,  浅香 公雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012048
Publication number (International publication number)：1993206560
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 稜線の直交する一対のルーフプリズムにより共振器を構成し偏光分離素子からジャイアントパルスを取り出すQスイッチレーザの高効率化を簡易に行い、効率の経時変化を少なくするため。【構成】 一対のルーフプリズムの一方の稜線方向を偏光分離素子の偏光面と略平行に設定し、電圧スイッチング回路によりスイッチング電圧を発生しこれをポッケルスセルに印加することでQスイッチ動作を得ると共に、出力量調整電圧発生回路により発生させた電圧をポッケルセルに印加することで共振器から取り出す光出力の割合を設定する。【効果】 出力量調整電圧の設定で簡単に共振器から取り出す光出力の割合を設定でき高効率化が図られ、また調整電圧がの変動にたいしても共振器内の損失が変化しないため電圧の調整が厳しくなく、同時に効率の経時変化が小さいQスイッチレーザが構成できる。

Claim (excerpt)：

一対の稜線方向の直交するルーフプリズムで構成されるレーザ共振器と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたレーザ媒質と、上記レーザ共振器の光軸上に設置されたポッケルスセルと、上記レーザ共振器の光軸上に設置された偏光分離素子とにより構成されるQスイッチレーザにおいて、上記ポッケルスセルの対向する電極の一方に一定電圧を印加する手段と、上記ポッケルスセルの対向する電極の他方にスイッチング電圧を印加する手段とを有し、上記一対のルーフプリズムをその一方の稜線の方向を上記偏光分離素子の直交する2つの分離偏光方向の一方とを略平行にして設置することを特徴とするQスイッチレーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-082491
  
• 特開平2-223171
  
• 特開昭59-123287