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J-GLOBAL ID：200903098099441173
SiC単結晶の成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996163227
Publication number (International publication number)：1996325099
Application date： Sep. 18, 1985
Publication date： Dec. 10, 1996
Summary：
【要約】【課題】 結晶性の優れたSiC単結晶を速い速度で成長できるSiC単結晶の成長方法を提供するのが目的である。【解決手段】 SiCからなる原材料3を加熱し、原材料3の上方側に配置されたSiC単結晶からなる種結晶16に向って上方への昇華ガスを生じさせ、種結晶16上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の成長方法であって、原材料温度を2300〜2500°C、種結晶16と原材料3との間の温度勾配を5〜20°C/cm、種結晶温度を原材料温度より低く且つその温度差が300°C以下である2200〜2400°C、反応系内の雰囲気ガス圧を1〜10Torrとすると共に、昇華ガスを絞って種結晶16表面へ集中して導くための黒鉛からなる集中手段8を介して種結晶16表面上へ指向せしめる。
Claim (excerpt)：
SiCからなる原材料を加熱し、該原材料の上方側に配置されたSiC単結晶からなる種結晶に向って上方への昇華ガスを生じさせ、該種結晶上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の成長方法であって、上記原材料温度を2300〜2500°C、上記種結晶と該原材料との間の温度勾配を5〜20°C/cm、該種結晶温度を該原材料温度より低く且つその温度差が300°C以下である2200〜2400°C、反応系内の雰囲気ガス圧を1〜10Torrとすると共に、上記昇華ガスを絞って上記種結晶表面へ集中して導くための黒鉛からなる集中手段を介して該種結晶表面上へ指向せしめたことを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/02
