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J-GLOBAL ID：200903098099866557

半導体装置

Inventor： 鈴村 正彦 ,  高野 仁路 ,  岸田 貴司 ,  白井 良史 ,  早崎 嘉城 ,  鈴木 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996319788
Publication number (International publication number)：1998163514
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光起電流が減少することのない半導体装置及びそn製造方法を提供する。【解決手段】 支持体シリコン基板1と、支持体シリコン基板1上に絶縁層2を介して形成されたp型半導体層3とで構成されるSOI基板におけるp型半導体層3内に、p型半導体層3表面に露出するようにn+型カソード領域4が形成され、n+型カソード領域4を囲み、かつ、p型ハンドたいそう3表面に露出するようにp+型アノード領域5が形成されて受光素子を構成している。そして、n+型カソード領域4と電気的に接続されるようにカソード電極6が形成され、p+型アノード領域5と電気的に接続されるようにアノード電極7が形成されている。ここで、支持体シリコン基板1における受光素子に略対向する箇所が、エッチング等により除去され、カソード電極6及びアノード電極7により、p型半導体層3表面における受光素子が形成された箇所の略全面が覆われている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と該半導体基板上に絶縁層を介して形成された第一導電型半導体層とで構成されるSOI基板と、前記第一導電型半導体層表面に露出するように前記第一導電型半導体層内に離間して形成された高濃度第一導電型アノード領域及び高濃度第二導電型カソード領域とを有する受光素子と、該受光素子への入射光を前記受光素子内に反射するための金属反射膜とを有して成ることを特徴とする半導体装置。