Pat
J-GLOBAL ID：200903098133917662
マイクロ波プラズマエッチング装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031796
Publication number (International publication number)：1993234696
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明の目的は、酸化膜のエッチングにおいて酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比が得られるマイクロ波プラズマエッチング装置を提供することである。【構成】マイクロ波プラズマエッチング装置において、プラズマを発生させる真空容器4の構成部材例えば電極カバー10に炭化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加するようにしたものである。【効果】酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し、下地シリコン膜との高い選択比が得られる。
Claim (excerpt)：
磁界とマイクロ波電界によって発生するプラズマで酸化膜のエッチングを行うマイクロ波プラズマエッチング装置において、プラズマを発生させる真空容器の構成材料に炭化珪素を用い、該炭化珪素に高周波電力を印加することを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
