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J-GLOBAL ID：200903098139007382

酸化膜用CMPスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法

Inventor： 李 相益 ,  金 亨渙
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002381345
Publication number (International publication number)：2003338470
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子に均一な素子分離酸化膜を形成できるようにする。【解決手段】 酸化膜用CMPスラリー組成物に、カルボニル、ニトリール又はアミド作用基を含む炭化水素化合物の重合体を添加する。さらに、酸化膜用CMPスラリー組成物はpH調節剤として塩酸を含むこととする。酸化膜用CMPスラリー組成物の溶媒は蒸留水又は超純水を用い、研磨剤はセリア、コロイダル又はヒュームド型のシリカを含む。このことで、窒化膜に対する酸化膜の選択比が従来のスラリーに比べ著しく向上する。

Claim (excerpt)：

溶媒、研磨剤及び添加剤を含む酸化膜用CMPスラリー組成物において、前記添加剤はカルボニル、ニトリール又はアミド作用基を含む炭化水素化合物のホモ重合体、又はカルボニル、ニトリール又はアミド作用基を含む炭化水素化合物の共重合体及びこれらを組み合わせて含み、前記組成物のpHは2〜7であることを特徴とする酸化膜用CMPスラリー組成物。

IPC (4)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/04 ,  H01L 21/76

FI (4)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/04 ,  H01L 21/76 L

F-Term (14)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F032AA35 ,  5F032AA43 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA06 ,  5F032DA21 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5759917号明細書(第3頁、第1図)
  
• 米国特許第6468910号明細書(第7頁、第3図)