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J-GLOBAL ID：200903098166845411

半導体装置

Inventor： 後藤 康正 ,  石田 有親 ,  川久 慶人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995054041
Publication number (International publication number)：1996250742
Application date： Mar. 14, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【構成】 同一絶縁基板12上に、ゲート絶縁膜膜厚が異なる2種類以上の多結晶シリコン薄膜電界効果トランジスタ(TFT)15、21、22を配置する。例えばn型TFT15、21のゲート絶縁膜33、34と膜厚とp型TFT22のゲート絶縁膜34膜厚を異ならせた、例えばスイッチングTFT、CM0S回路TFTを有する液晶表示装置用アクティブマトリクス基板を構成する。【効果】 同一絶縁基板に、ゲート絶縁膜膜厚が異なる2種類以上の多結晶TFTを配置することにより、各TFTにおける移動度を低下させることなく、しきい値を制御することが可能になり、最適な回路構成を得ることができる。

Claim (excerpt)：

同一絶縁基板上に、ゲート絶縁膜膜厚が異なる2種類以上の多結晶半導体薄膜電界効果トランジスタを具備していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (3)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 U