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J-GLOBAL ID：200903098170264814

SiCへの電極の形成方法

Inventor： 木村 親夫
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295576
Publication number (International publication number)：1996139053
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】〔目的〕電気特性が良好なシリコンカーバイド(SiC)への電極の形成方法を提供する。〔構成〕高融点金属の砒化物、燐化物又は硼化物から成る金属間化合物の電極層(M) をSiC結晶の基板(10)の表面に堆積させる堆積工程(A〜D)と、この電極層(M) が堆積されたSiC結晶の基板を加熱して電極(14)を作成する加熱工程とを含む。

Claim (excerpt)：

高融点金属の砒化物、燐化物又は硼化物から成る電極層をSiC結晶の基板の表面に堆積する電極堆積工程と、この電極層が堆積されたSiC結晶の基板を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とするSiCへの電極の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公昭36-018286
  
• 特公昭46-011607
  
• 特公昭36-018286
  
• 特公昭46-011607