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J-GLOBAL ID：200903098172838141
多層基板及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993285197
Publication number (International publication number)：1995142867
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】小型で結線密度が高くコンデンサ及びインダクタの内蔵が可能な多層基板を提供する。【構成】コンデンサ2a及び配線パターン2bを内蔵し、表裏面にビアホール2dが露出したセラミック多層基板2と、セラミック多層基板2の両面に、ビアホール4aを有するプリプレグ4,4を介して、インダクタ3a及び配線パターン3bを有し、表裏面にビアホール3eが露出した樹脂多層基板3,3とを接合してなり、セラミック多層基板2のビアホール2dと樹脂多層基板3,3のビアホール3eとが、プリプレグ4,4のビアホール4aを介して電気的に接続されたことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
回路素子又は配線パターンを内蔵し、表裏面にビアホールが露出したセラミック多層基板と、該セラミック多層基板の片面若しくは両面に、ビアホールを有するプリプレグを介して、回路素子又は配線パターンを有し、表裏面にビアホールが露出した樹脂多層基板とを接合してなり、前記セラミック多層基板のビアホールと樹脂多層基板のビアホールとが、前記プリプレグのビアホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする多層基板。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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