薄膜半導体装置、電子機器、および薄膜半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005134994
Publication number (International publication number)：2006313776
Application date： May. 06, 2005
Publication date： Nov. 16, 2006
Summary：

【課題】オン電流特性、オフリーク電流特性およびドレイン耐圧のいずれにも優れたTFTを備えた薄膜半導体装置、この薄膜半導体装置を用いた電子機器、および薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】薄膜半導体装置1において、TFT10のゲート電極5は、チャネル領域30および境界領域33、38に対向している。ゲート絶縁膜4は、チャネル領域30に重なる第1の絶縁膜部分46と、境界領域33、38と重なる第2の絶縁膜部分47と、ドレイン領域32およびソース領域37と重なる第3の絶縁膜部分48とを備え、第2の絶縁膜部分47は、第1の絶縁膜部分46と隣接する部分では第1の絶縁膜部分46よりも厚く、かつ、第1の絶縁膜部分46から遠ざかるに伴って薄くなっている。境界領域33、38は、チャネル領域30の側から離れるに伴って不純物濃度が漸増している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース領域、ドレイン領域、および前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられたチャネル領域とを有する半導体膜と、ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜に対向するゲート電極とを備えた薄膜半導体装置において、前記ソース領域と前記チャネル領域との間、および前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に境界領域を備え、前記ゲート電極は、前記チャネル領域および前記境界領域に対向し、前記ゲート絶縁膜は、前記チャネル領域に重なる第1の絶縁膜部分と、前記境界領域と重なる第2の絶縁膜部分と、前記ソース領域および前記ドレイン領域に重なる第3の絶縁膜部分とを備え、前記第2の絶縁膜部分の膜厚は、前記第1の絶縁膜部分と隣接する部分では当該第1の絶縁膜部分よりも厚く、かつ、当該第1の絶縁膜部分から前記第3の絶縁膜部分との隣接部分に向かうに伴って薄くなっていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/41 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (12)：

H01L29/78 617S , H01L29/78 616A , H01L29/78 617A , H01L29/78 617U , H01L29/78 617L , H01L29/78 617J , H01L29/78 617K , H01L29/78 618D , H01L29/58 G , H01L29/44 S , G02F1/1368 , H05B33/14 A

F-Term (59)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JB35 , 2H092JB56 , 2H092NA21 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE11 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA13 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HM02 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ、固体装置、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-250135 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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