Pat

J-GLOBAL ID：200903098182530005

高周波半導体装置および高周波通信機器

Inventor： 横山 隆弘 ,  石橋 明彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049929
Publication number (International publication number)：1997246471
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来Siと化合物半導体との集積化し、小型化した高周波半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板1上に部分的にSiC部5を形成し、さらにこのSiC5上に部分的にGaN28を成長させる。高周波半導体素子をSi1またはGaN28上に実現すると同時に、これらで使用される受動素子をSiC5上またはGaN28上に実現することにより、異種半導体間の集積化を可能にする。

Claim (excerpt)：

高周波半導体装置に於いて、基板を形成する第1半導体であるシリコン(Si)上に第2半導体であるSiCを有し、該SiC上にさらに第3半導体であるGaNを有する構成であり、前記GaNは前記SiC上に部分的に成長されたものであり、また前記SiCは前記Si上に部分的に形成されたものであり、高周波能動素子が前記SiまたはSiCまたはGaN上に実現された構成であることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H04B 1/40

FI (3)：

H01L 27/04 L ,  H04B 1/40 ,  H01L 27/04 C