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J-GLOBAL ID：200903098185703482

洗浄処理方法および洗浄処理装置

Inventor： 松嶋 大輔 ,  黒川 禎明
Applicant, Patent owner： 芝浦メカトロニクス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997152270
Publication number (International publication number)：1998340876
Application date： Jun. 10, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハ表面が露出せず、Siの表面へのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの処理方法およびその洗浄処理装置を提供すること。【解決手段】 基板2の表面に付着した金属微粒子を除去するための洗浄処理方法において、フッ酸およびオゾン水を混合させて上記基板2の表面に噴射手段8を用いて噴射し、この基板2の表面を洗浄することを特徴とする洗浄処理方法である。

Claim (excerpt)：

基板の表面に付着した金属微粒子を除去するための洗浄処理方法において、フッ酸およびオゾン水を混合させて上記基板の表面に噴射し、この基板の表面を洗浄することを特徴とする洗浄処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351 ,  B08B 3/02

FI (3)：

H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 351 S ,  B08B 3/02 B