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J-GLOBAL ID：200903098186520489

ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子

Inventor： 大串 秀世 ,  渡辺 幸志 ,  竹内 大輔 ,  梶村 皓二
Applicant, Patent owner： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  大串 秀世 ,  竹内 大輔 ,  梶村 皓二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000089516
Publication number (International publication number)：2001274455
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンドを紫外光の発光材料として有効に活用し、発光デバイスやレーザレバイスを確実に実現できるようにする。【解決手段】 この発明のダイヤモンド半導体は、非線形に変化する励起子発光の発光強度特性を有する、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

非線形に変化する励起子発光の発光強度特性を有する、ことを特徴とするダイヤモンド半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/04 ,  H01S 5/32

FI (3)：

H01L 33/00 A ,  C30B 29/04 B ,  H01S 5/32

F-Term (16)：

4G077AA03 ,  4G077AB04 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA64 ,  5F073CA24 ,  5F073CB12 ,  5F073CB22 ,  5F073DA07 ,  5F073DA14 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 短波長発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-098962   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 半導体装置およびこれを使用した発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-289468   Applicant：三菱重工業株式会社
• ダイヤモンドpn接合ダイオードおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-244883   Applicant：工業技術院長, 科学技術振興事業団