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J-GLOBAL ID：200903098194516822

半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物及び該絶縁膜の製造方法

Inventor： 渡邊 毅 ,  大鳥 利行
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125498
Publication number (International publication number)：1998316853
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 耐熱性とともに低誘電率で電気特性に優れた半導体層間絶縁膜用樹脂組成物を提供する。【解決手段】一般式(1)で表される構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾールからなることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物であり、また、一般式(4)で表される構成単位を含む含フッ素ポリヒドロキシアミドを塗工し、加熱閉環して、前記の構造とすることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜の製造方法。【化1】【化4】

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表される構成単位を含む含フッ素ポリベンゾオキサゾールからなることを特徴とする半導体多層配線用層間絶縁膜樹脂組成物。【化1】(一般式(1)中、Xは一般式(2)(ここでZはなくてもよいし、またはO、S、SO2、CO、CH2、C(CH3)2、 C(CF3)2である。)を示し、Yは群(3)から選ばれた1種以上の基を示す。また、mは1〜4の整数である。)【化2】(ただし、ベンゼン環からN及びOへの結合はo-位)【化3】

IPC (2)：

C08L 79/04 ,  C08G 73/22

FI (2)：

C08L 79/04 B ,  C08G 73/22