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J-GLOBAL ID：200903098194828395
ナノグラニュラー磁性薄膜用基板、その製造方法及びナノグラニュラー磁性薄膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995260325
Publication number (International publication number)：1997102420
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 従来の方法では、磁性層を非磁性相中に微細に、しかも均一に分散させることができず、膜厚を十分に薄くすることができないため、GMR効果を十分に向上させることができなかった。【解決手段】 (111)ファセット構造と欠陥領域とを有するSi(111)ウエハからなるナノグラニュラー磁性薄膜用基板。
Claim (excerpt)：
(111)ファセット構造と欠陥領域とを有するSi(111)ウエハからなるナノグラニュラー磁性薄膜用基板。
IPC (2)：
FI (2)：
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