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J-GLOBAL ID：200903098203559548

面発光型半導体レーザ

Inventor： 関口 利貞
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006833
Publication number (International publication number)：1998209555
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 円形の集束光ビームを取り出して効率的にファイバに結合することを可能にすると共に、劈開を行うことなく良否判定を行い得るようにした回折格子を利用した面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型半導体基板1にn型下部クラッド層2、i型活性層3を含む導波路層及びp型上部クラッド層4が順次形成され、導波路層に沿って光の分布帰還のための回折格子が形成されたDFB型の半導体レーザであって、回折格子5は同心円パターンを描く2次の回折格子として、その同心円パターンの中心を中心として基板表面に平行な面内で360°方向にレーザ共振器を構成し、得られるレーザ光を回折効果により基板表面に垂直の方向に取り出すようにすると共に、回折格子5が形成された領域の基板表面に同心円パターンのグレーティングレンズ10を形成して取り出される円形の出力光ビームを集束光ビーム11とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に下部クラッド層、活性層を含む導波路層及び上部クラッド層が順次形成され、前記導波路層に沿って光の分布帰還のための回折格子が形成された半導体レーザであって、前記回折格子は同心円パターンを描く2次の回折格子として、その同心円パターンの中心を中心として基板表面に平行な面内で360°方向にレーザ共振器を構成し、得られるレーザ光を回折効果により基板表面に垂直の方向に取り出すようにすると共に、前記回折格子が形成された領域の基板表面に取り出される円形の出力光ビームを集束光ビームとするための同心円パターンのグレーティングレンズを形成してなることを特徴とする面発光型半導体レーザ。