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J-GLOBAL ID：200903098212903278

光起電力素子

Inventor： 島 正樹 ,  遠藤 浩二
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995256243
Publication number (International publication number)：1997102623
Application date： Oct. 03, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、シリコン半導体薄膜との整合性がよく且つ屈折率の小さい材料を背面電極とシリコン半導体薄膜との間に介在させて、光電変換効率の向上を図るものである。【解決手段】 この発明は、光照射により光起電力を発生するシリコンを主成分とする半導体層3、4、5を備え、受光面に相対する背面に背面電極7が設けられた光起電力素子であって、半導体層5と背面電極7との間に、ノンドープのダイヤモンド炭素膜6を介在させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光照射により光起電力を発生する半導体層を備え、受光面に相対する背面に背面電極が設けられた光起電力素子であって、前記半導体層と背面電極との間に、周期律表の4族元素またはその合金で構成される透光性緩衝層を介在させたことを特徴とする光起電力素子。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  C01B 31/06 ,  C30B 29/04

FI (3)：

H01L 31/04 N ,  C01B 31/06 Z ,  C30B 29/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-212479
  
• 特開平4-214681
  
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-331627   Applicant：シャープ株式会社