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J-GLOBAL ID：200903098213894523
不揮発性半導体記憶装置、半導体装置及びMOSトランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993057380
Publication number (International publication number)：1994275842
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は不揮発性半導体メモリ、半導体装置及びMOSトランジスタに関し、電源回路等を構成するトランジスタの耐圧を低減すること及び主としてそのような回路で使用されるデプリーション型トランジスタの製造工程の改良を目的とする。【構成】 記憶データの電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、コントロールゲート101に負電圧を印加してフローティングゲート102内の電荷をチャンネルに引き抜くチャンネル消去を行なう不揮発性半導体記憶装置において、消去時には消去用正電圧発生手段140によって発生された電源電圧よりも高い電圧がチャンネルに印加されるように構成する。
Claim (excerpt)：
記憶データの電気的消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、コントロールゲート(101)に負電圧を印加して、フローティングゲート(102)内の電荷をチャンネルに引き抜くチャンネル消去を行なう不揮発性半導体記憶装置において、消去時には、消去用正電圧発生手段(140)によって発生された電源電圧よりも高い電圧が前記チャンネルに印加されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
Cited by examiner (6)
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