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J-GLOBAL ID：200903098217666754

高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法

Inventor： 小林 伸好 ,  中村 吉孝 ,  五嶋 秀和 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180745
Publication number (International publication number)：1993029259
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】金属ハロゲン化ガスとシラン系ガスとのCVD反応を利用して、低温(<200°C)で高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜を形成する。【構成】金属ハロゲン化物(WF<SB>6</SB>等)とシラン系ガス(SiH<SB>4</SB>等)を所定の流量比で反応させ低温(=150°C)で膜形成を行ない、TiW膜7上にW膜8を形成する。

Claim (excerpt)：

シラン系ガスの内少なくとも一つと金属ハロゲン化物とを用いた原料ガスとを、原料ガスの流量比=シラン系ガス流量/金属ハロゲン化物ガス流量を1以上10以下で導入し、かつ形成温度を0°C以上200°C以下で、半導体基板上に金属もしくは金属シリサイド薄膜を形成することを特徴とする高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90