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J-GLOBAL ID：200903098221153907
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993260593
Publication number (International publication number)：1995115249
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高光出力動作が可能な窓構造を有する半導体レーザを再現性よく作製する。【構成】 量子井戸構造の活性層3を有する半導体レーザの光出射端面上に半導体レーザを構成する結晶より大きな熱膨張係数を有する絶縁膜13を設けた。【効果】 レーザ駆動による素子の発熱時に、絶縁膜によってレーザ結晶の端面近傍にひっぱり応力がかかるので、活性層のうち該応力がかかった領域のバンドギャップを実効的に大きくすることができ、窓構造を実現できる。
Claim (excerpt)：
量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、レーザ光出射端面上に形成された、半導体レーザを構成する結晶より熱膨張係数が大きい絶縁膜を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
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