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J-GLOBAL ID：200903098223059991

密着型2次元ホトセンサおよびその製造方法

Inventor： 金子 好之 ,  山口 宗明 ,  筒井 謙 ,  田中 靖夫 ,  嶋田 寿一 ,  増原 利明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279262
Publication number (International publication number)：1993121715
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】大面積画像読み取りと該読み取り画像の表示が高速で行なえる小型の密着型2次元イメージセンサ及びその製造方法を提供する。【構成】液晶ディスプレイ部の画素とホトセンサ部の画素を一致させ、液晶駆動用トランジスタとホトトランジスタのゲート絶縁膜/チャネル用半導体層の積層構造を少くとも同時に形成する。【効果】使い勝手のよいファクシミリあるいはコンピュータへの画像入力装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

第1の電界効果型トランジスタからなるホトトランジスタと電荷蓄積容量と第2の電界効果型トランジスタからなる液晶駆動用トランジスタとからなる画素を基板上に2次元的に配列して形成する工程と、該画素上に液晶層を形成する工程とを少なくとも有する密着型2次元ホトセンサの製造方法において、該ホトトランジスタと該液晶駆動用トランジスタのゲート絶縁膜及びチャネル層をそれぞれ同一工程で作製することを特徴とする液晶表示機能を有する密着型2次元ホトセンサの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  B41J 29/42 ,  H04N 1/028