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J-GLOBAL ID：200903098252097096

SiC単結晶の製造方法

Inventor： 谷田貝 悟 ,  宇田 聡 ,  田村 佳子
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258200
Publication number (International publication number)：1998101495
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 欠陥密度の少ない、高品質なSiCバルク単結晶を効率よく作製し、これから高品質なSiC基板を製造し得る。【解決手段】 グラファイト製るつぼ12の底部にSiC原料粉末14を入れ、内面にSiC種結晶15が配置された蓋13によりるつぼ12の上部を閉止し、るつぼ12の底部をSiCの昇華温度(2200°C)以上2400°C以下の温度で加熱し、蓋13より下方であってるつぼ12の底部より上方のるつぼ中間部12bを2400°C以上2800°C以下の温度で加熱し、種結晶15の温度をSiCの昇華温度(2200°C)以下に維持することにより、種結晶15にSiC単結晶16を育成する。

Claim (excerpt)：

グラファイト製るつぼ(12)の底部にSiC原料粉末(14)を入れ、内面にSiC種結晶(15)が配置された蓋(13)により前記るつぼ(12)の上部を閉止し、前記るつぼ(12)をSiCの昇華温度以上融点未満の温度で加熱し前記種結晶(15)の温度をSiCの昇華温度以下に維持して前記種結晶(15)にSiC単結晶(16)を育成するSiC単結晶の製造方法において、前記るつぼ(12)の底部をSiCの昇華温度以上2400°C以下の温度で加熱し、前記蓋(13)より下方であって前記るつぼ(12)の底部より上方のるつぼ中間部(12b)を2400°C以上2800°C以下の温度で加熱することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36 ,  C30B 23/06

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C01B 31/36 ,  C30B 23/06