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J-GLOBAL ID:200903098260179816

酸窒化物蛍光体および半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005045009
Publication number (International publication number):2006232868
Application date: Feb. 22, 2005
Publication date: Sep. 07, 2006
Summary:
【課題】 510nm以下の波長の光を高効率で発光可能な酸窒化物蛍光体とそれを用いた半導体発光装置の提供。【解決手段】 組成式M1-aCeaSibAlcOdNeで表される酸窒化物蛍光体であって、(式中、MはLa、またはLaを主成分とし、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLu等の元素を含み、aは0.1≦a≦1、bはb=(6-z)×f、cはc=(1+z)×g、d=z×h、eはe=(10-z)×iであって、zは0.1≦z≦3、fは0.7≦f≦1.3、gは0.7≦g≦3、hは0.7≦h≦3、iは0.7≦i≦1.3)、JEM相を50%以上含む酸窒化物蛍光体とこの酸窒化物蛍光体を用いた半導体発光装置である。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
組成式M1-aCeaSibAlcOdNeで表される酸窒化物蛍光体であって、 前記組成式において、前記MはLaを示すか、またはLaを主成分とし、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群から選択された少なくとも1種の元素を副成分とするものを示し、 Ceの組成比を示す前記aは0.1≦a≦1を満たす実数であって、 Siの組成比を示す前記bはb=(6-z)×fを満たす実数であり、 Alの組成比を示す前記cはc=(1+z)×gを満たす実数であり、 Oの組成比を示す前記dはd=z×hを満たす実数であり、 Nの組成比を示す前記eはe=(10-z)×iを満たす実数であって、 前記zは0.1≦z≦3を満たす実数であり、 前記fは0.7≦f≦1.3を満たす実数であり、 前記gは0.7≦g≦3を満たす実数であり、 前記hは0.7≦h≦3を満たす実数であり、 前記iは0.7≦i≦1.3を満たす実数であって、 JEM相を50%以上含むことを特徴とする、酸窒化物蛍光体。
IPC (4):
C09K 11/80 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/64 ,  H01L 33/00
FI (5):
C09K11/80 ,  C09K11/08 J ,  C09K11/64 ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 N
F-Term (33):
4H001CA02 ,  4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA09 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA57 ,  4H001XA58 ,  4H001XA59 ,  4H001XA60 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA67 ,  4H001XA68 ,  4H001XA69 ,  4H001XA70 ,  4H001XA71 ,  4H001YA25 ,  4H001YA58 ,  4H001YA63 ,  5F041AA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (1)
  • 蛍光体とその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2004-070693   Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構

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