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J-GLOBAL ID：200903098278377950

炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法

Inventor： 丸山 隆之 ,  千葉 利実
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004338063
Publication number (International publication number)：2007182330
Application date： Nov. 22, 2004
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】 表面が表面粗さ2nm以下のホモエピタキシャル成長面で(0001)c面からのオフ角が0.4度以下であることを特徴とするα型(六方晶)炭化ケイ素単結晶ウェハ。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

表面が表面粗さ2nm以下で平坦なホモエピタキシャル成長面で(0001)c面からのオフ角が0.4度以下であることを特徴とするα型(六方晶)炭化ケイ素単結晶ウェハ。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

F-Term (36)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077HA01 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC06 ,  4G077TC17 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045CA05 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許4912064号