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J-GLOBAL ID：200903098289185017
半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009005
Publication number (International publication number)：1997275226
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：
【要約】【課題】 短い波長領域での感度が高く、しかも大きな受光電流が得られる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体受光素子、及び高い歩留まりで製造できる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明による半導体受光素子は、基板70と、該基板70上に形成されたPN接合部と、を備えた半導体受光素子であって、該PN接合部は、n型RxGa1-xN(0≦x≦1)73及びp型RyGa1-yN(0≦y≦1)74から形成されており、該Rはアルミニウムまたはホウ素を含んでいる。本発明による半導体発光素子は、シリコン基板60と、該シリコン基板60上に設けられた、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている活性層64と、該活性層64を挟む、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている一対のクラッド層63、65と、を備えている。
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている活性層と、該活性層を挟む、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている一対のクラッド層と、を備えた半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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